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日韩贸易战升级 NAND与DRAM或迎来双涨

发布时间:07/15 来源:未知 浏览: 关键词:

在线消息:日本针对韩国氟聚酰亚胺、光刻胶等三种原材料实施管制之后,这种由双方贸易战所带了的影响,已经开始影响到消费端。市场调研机构发布最新调研数据显示,从本周开始8Gb DDR4内存均价达到了3美元。

日韩贸易战升级 NAND与DRAM或迎来双涨
日韩贸易战升级 NAND与DRAM或迎来双涨

据悉,虽然价格仅是上涨1.2%,但这是自去年9月份以来内存现货价格首次上扬。这表明内存市场上已经离开是有恐慌情绪。即担心日本制裁将会导致三星等全球重要厂商出货量下降。

据了解,三星全球NAND市占逾三成,而且目前三星已开始考虑缩减逾二成产出,等于全球将减少逾6%至8%供应量,加上东芝NAND工厂上月受强震影响产能估达3%,合计本月起,全球NAND产出将减少近一成,且美光也宣布本季减产五成NAND芯片,预料在库存快速消化及未来供给大幅缩减下,NAND芯片恐出现缺货,价格也将结束长达二年多的跌势。

同时分析者认为,若日韩贸易谈判无法取得实质性进展,则下季DRAM合约价也将止跌反弹。综合来看,在天灾+人祸的双重影响下全球市场将会出现NAND与DRAM两大内存“双涨”效应。

天灾影响,今年6月中旬东芝位于日本四日市的5座闪存工厂遭遇断电事故,导致部分工厂停工5天,另外3座工厂停产到本月,这起“天灾”有可能改变Q3季度闪存的价格走向,跌幅收窄是没跑了。

人祸影响,本月初日本宣布制裁韩国,限制三种关键的半导体材料出口给韩国公司,其中光刻胶是闪存内存生产中必须的材料,没有日本的供应,韩国三星、SK海力士等公司的内存闪存生产要受到限制。

(文中图片来自互联网)

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