台积电2nm制程已经在路上，或2024年实现量产！

根据美通社、媒体、台积电2nm工艺研究和开发取得的重大突破，与采用FinFET结构的3nm和5nm不同，台积电2nm采用了一种新的Mbcfet结构，它可以解决FinFET工艺微收缩引起的电流控制泄漏的物理极限问题，而且研究和开发进展提前。

基于台积电2nm目前的研发进展，预计供应链将在2023年下半年进入高风险的试生产阶段，并在2024年正式批量生产。这将有助于它继续赢得苹果(Apple)、辉达等大型工厂的先进加工订单。